收藏本站
IRLL2703
100
10
VGS
TOP     15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 2.7V
100
VGS
TOP     15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 2.7V
10
1
1
0.1
2.7V
20μs PULSE WIDTH
2.7V
20μs PULSE WIDTH
0.01
0.1
1
T J = 25 ° C
10
100
0.1
0.1
1
T J = 150 ° C
10
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
10
T J = 150 ° C
2.0
1.5
I D = 3.9A
1.0
T J = 25 ° C
1
0.5
0.1
V DS = 25V
20μs PULSE WIDTH
0.0
V GS = 10V
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T J , Junction Temperature ( C)
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
°
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IRLL2705TR MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
IRLL3303 MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
IRLM120ATF MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
IRLML2402TR MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23
IRLML2502TR MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
IRLML2803GTRPBF MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3
IRLML2803TR MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
IRLML5103TR MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
相关代理商/技术参数
IRLL2703TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
IRLL2703TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 5.5A 45mOhm 9.3nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLL2705 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC SOT-223
IRLL2705HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 5.2A 4PIN SOT-223 - Rail/Tube
IRLL2705PBF 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 32nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLL2705TR 功能描述:MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLL2705TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 5.2A 4PIN SOT-223 - Tape and Reel
IRLL2705TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 3.8A 40mOhm 32nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube